|
|
DMG1016V-7Артикул: 402703 Транзистор: N/P-MOSFET. Производитель: DIODES INCORPORATED |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 2463 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||||||||
|
|
||||||||||||||||||||
| Корпус: | SOT563 |
| Производитель: | DIODES INCORPORATED |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±6В |
| Напряжение сток-исток: | 20/-20В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: |
0,53Вт; 530мВт; |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
0,4/0,7Ом; 400/700мОм; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N/P-MOSFET |
| Ток стока: |
0,63/-0,46А; 630/-460мА; |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | ESD protected gate |
| PDF: |
|
Транзистор: N/P-MOSFET.
Теги: Транзисторы многоканальные, DIODES INCORPORATED, Транзистор: N/P-MOSFET