|
|
APT10M11JVRU2Артикул: 434281 Модуль; диод/транзистор; 100В; 106А; ISOTOP; Ugs: ±30В; винтами. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | ISOTOP |
| Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 576А |
| Конструкция диода: | диод/транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 100В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 450Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 11мОм |
| Технология: | POWER MOS 5® |
| Тип модуля: | полевой МОП-транзистор |
| Ток стока: | 106А |
| Топология: | boost chopper |
| Электрический монтаж: | винтами |
Модуль; диод/транзистор; 100В; 106А; ISOTOP; Ugs: ±30В; винтами.
Теги: Транзисторные модули MOSFET, MICROCHIP TECHNOLOGY, Модуль, диод/транзистор, 100В, 106А, ISOTOP, Ugs: ±30В, винтами