|
|
IXFN82N60PАртикул: 282147 Модуль; одиночный транзистор; Uds:600В; Id:72А; SOT227B; Ugs: ±30В. Производитель: IXYS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SOT227B |
| Производитель: | IXYS |
| Pulsed drain current: | 200А |
| Вид упаковки: | россыпью |
| Время готовности: | 200нс |
| Заряд затвора: | 240нC |
| Импульсный ток: | 200А |
| Конструкция диода: | одиночный транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор-исток: |
±30В; ±40В; |
| Напряжение сток-исток: | 600В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 1040Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 75мОм |
| Технология: |
HiPerFET™; Polar™; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип модуля: |
полевой МОП-транзистор; транзисторный; |
| Ток стока: | 72А |
| Электрический монтаж: | винтами |
| PDF: |
|
Модуль; одиночный транзистор; Uds:600В; Id:72А; SOT227B; Ugs: ±30В.
Теги: Транзисторные модули MOSFET, IXYS, Модуль, одиночный транзистор, Uds:600В, Id:72А, SOT227B, Ugs: ±30В