|
|
IXFN50N120SKАртикул: 370424 Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 48А; SOT227B; винтами; 115нC. Производитель: IXYS |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 9 Срок поставки 20-30 дней |
||||
|
|
||||||||
| Корпус: | SOT227B |
| Производитель: | IXYS |
| Время готовности: | 54нс |
| Заряд затвора: | 115нC |
| Конструкция диода: | одиночный транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор-исток: | -5...20В |
| Напряжение сток-исток: | 1,2кВ |
| Полярность: | полевой |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 50мОм |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип модуля: |
полевой МОП-транзистор; транзисторный; |
| Ток стока: | 48А |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | вывод Кельвина |
| Электрический монтаж: | винтами |
Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 48А; SOT227B; винтами; 115нC.
Теги: Транзисторные модули MOSFET, IXYS, Модуль, одиночный транзистор, 1, 2кВ, 48А, SOT227B, винтами, 115нC