|
|
IXFN36N100Артикул: 298422 Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 36А; SOT227B; Ugs: ±30В; винтами. Производитель: IXYS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SOT227B |
| Производитель: | IXYS |
| Pulsed drain current: | 144А |
| Вид упаковки: | россыпью |
| Время готовности: | 180нс |
| Заряд затвора: | 380нC |
| Конструкция диода: | одиночный транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 1кВ |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 694Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 240мОм |
| Технология: | HiPerFET™ |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип модуля: |
полевой МОП-транзистор; транзисторный; |
| Ток стока: | 36А |
| Электрический монтаж: | винтами |
| PDF: |
|
Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 36А; SOT227B; Ugs: ±30В; винтами.
Теги: Транзисторные модули MOSFET, IXYS, Модуль, одиночный транзистор, 1кВ, 36А, SOT227B, Ugs: ±30В, винтами