(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • IXFN26N120P

IXFN26N120P

Артикул: 298413


Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; Ugs: ±40В; 695Вт.

Производитель: IXYS



PDF
Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
7


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1
Без НДС: 2 890.34 грн.
Корпус: SOT227B
Производитель: IXYS
Pulsed drain current: 60А
Вид упаковки: россыпью
Время готовности: 300нс
Заряд затвора: 255нC
Конструкция диода: одиночный транзистор
Механический монтаж: винтами
Монтаж: винтами
Напряжение затвор-исток: ±40В
Напряжение сток-исток: 1,2кВ
Полярность: полевой
Потери мощности: 695Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 500мОм
Технология: HiPerFET™;
Polar™;
Тип канала: обогащенный
Тип модуля: полевой МОП-транзистор;
транзисторный;
Ток стока: 23А
Электрический монтаж: винтами
PDF:
PDF
Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; Ugs: ±40В; 695Вт.

Теги: Транзисторные модули MOSFET, IXYS, Модуль, одиночный транзистор, 1, 2кВ, 23А, SOT227B, Ugs: ±40В, 695Вт