|
|
IXFN26N100PАртикул: 298412 Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 23А; SOT227B; Ugs: ±40В; винтами. Производитель: IXYS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 6 Срок поставки 20-30 дней |
||||
|
|
||||||||
| Корпус: | SOT227B |
| Производитель: | IXYS |
| Pulsed drain current: | 65А |
| Вид упаковки: | россыпью |
| Время готовности: | 300нс |
| Заряд затвора: | 197нC |
| Конструкция диода: | одиночный транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор-исток: | ±40В |
| Напряжение сток-исток: | 1кВ |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 595Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 390мОм |
| Технология: |
HiPerFET™; Polar™; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип модуля: |
полевой МОП-транзистор; транзисторный; |
| Ток стока: | 23А |
| Электрический монтаж: | винтами |
| PDF: |
|
Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 23А; SOT227B; Ugs: ±40В; винтами.
Теги: Транзисторные модули MOSFET, IXYS, Модуль, одиночный транзистор, 1кВ, 23А, SOT227B, Ugs: ±40В, винтами