(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • IXFN180N15P

IXFN180N15P

Артикул: 282138


Модуль; одиночный транзистор; Uds:150В; Id:150А; SOT227B; винтами.

Производитель: IXYS



PDF
Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
10


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 2
Без НДС: 1 310.85 грн. 1 239.80 грн.
Корпус: SOT227B
Производитель: IXYS
Pulsed drain current: 380А
Вид упаковки: россыпью
Время готовности: 200нс
Заряд затвора: 240нC
Импульсный ток: 380А
Конструкция диода: одиночный транзистор
Механический монтаж: винтами
Монтаж: винтами
Напряжение затвор-исток: ±20В;
±30В;
Напряжение сток-исток: 150В
Полярность: полевой
Потери мощности: 680Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 11мОм
Технология: HiPerFET™;
PolarHT™;
Тип канала: обогащенный
Тип модуля: полевой МОП-транзистор;
транзисторный;
Ток стока: 150А
Электрический монтаж: винтами
PDF:
PDF
Модуль; одиночный транзистор; Uds:150В; Id:150А; SOT227B; винтами.

Теги: Транзисторные модули MOSFET, IXYS, Модуль, одиночный транзистор, Uds:150В, Id:150А, SOT227B, винтами