|
|
DACMI200N1200Артикул: 242268 Модуль; одиночный транзистор; Uds:1,2кВ; Id:125А; SOT227B; 980Вт. Производитель: DACO SEMICONDUCTOR |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 6 Срок поставки 20-30 дней |
||||
|
|
||||||||
| Корпус: | SOT227B |
| Производитель: | DACO Semiconductor |
| Pulsed drain current: | 500А |
| Конструкция диода: | одиночный транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Мощность: | 980Вт |
| Напряжение затвор-исток: | -10...20В |
| Напряжение сток-исток: |
1,2кВ; 1.2кВ; |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 980Вт |
| Рабочая температура: | -55...150°C |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 15мОм |
| Технология: | SiC |
| Тип модуля: |
полевой МОП-транзистор; транзисторный; |
| Ток стока: | 125А |
| Электрический монтаж: | винтами |
| PDF: |
|
Модуль; одиночный транзистор; Uds:1,2кВ; Id:125А; SOT227B; 980Вт.
Теги: DACO SEMICONDUCTOR., Модуль, одиночный транзистор, Uds:1, 2кВ, Id:125А, SOT227B, 980Вт.