|
|
APT10026JLLАртикул: 434227 Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 30А; ISOTOP; Ugs: ±30В; винтами. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | ISOTOP |
| Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 120А |
| Конструкция диода: | одиночный транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 1кВ |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 595Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 260мОм |
| Технология: | POWER MOS 7® |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип модуля: | полевой МОП-транзистор |
| Ток стока: | 30А |
| Электрический монтаж: | винтами |
Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 30А; ISOTOP; Ugs: ±30В; винтами.
Теги: Транзисторные модули MOSFET, MICROCHIP TECHNOLOGY, Модуль, одиночный транзистор, 1кВ, 30А, ISOTOP, Ugs: ±30В, винтами