IXBN75N170 Артикул: 297521 Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 75А; 625Вт; SOT227B. Производитель: IXYS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 1 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 Без НДС: 5 089.38 грн. 5 018.86 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT227B
Производитель:	IXYS
Конструкция диода:	одиночный транзистор
Механический монтаж:	винтами
Монтаж:	винтами
Напряжение затвор - эмиттер:	±20В
Напряжение коллектор-эмиттер:	1,7кВ
Обратное напряжение макс.:	1,7кВ
Потери мощности:	625Вт
Технология:	BiMOSFET™
Тип модуля:	IGBT
Ток коллектора:	75А
Ток коллектора в импульсе:	680А
Характеристики полупроводниковых элементов:	высоковольтный
Электрический монтаж:	винтами
PDF:

Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 75А; 625Вт; SOT227B.

Теги: Модули IGBT, IXYS, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1, 7кВ, 75А, 625Вт, SOT227B