|
|
IXBN42N170AАртикул: 297520 Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 38А; 313Вт; SOT227B. Производитель: IXYS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 8 Срок поставки 20-30 дней |
||||||
|
|
||||||||||
| Корпус: | SOT227B |
| Производитель: | IXYS |
| Конструкция диода: | одиночный транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор - эмиттер: | ±20В |
| Напряжение коллектор-эмиттер: | 1,7кВ |
| Обратное напряжение макс.: | 1,7кВ |
| Потери мощности: | 313Вт |
| Технология: | BiMOSFET™ |
| Тип модуля: | IGBT |
| Ток коллектора: | 21А |
| Ток коллектора в импульсе: | 265А |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | высоковольтный |
| Электрический монтаж: | винтами |
| PDF: |
|
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 38А; 313Вт; SOT227B.
Теги: Модули IGBT, IXYS, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1, 7кВ, 38А, 313Вт, SOT227B