APT35GP120JАртикул: 434570 Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 1 Срок поставки 20-30 дней |
|||||
|
||||||||
Корпус: | SOT227B |
Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Конструкция диода: | одиночный транзистор |
Механический монтаж: | винтами |
Монтаж: | винтами |
Напряжение затвор - эмиттер: | ±30В |
Обратное напряжение макс.: | 1,2кВ |
Технология: |
POWER MOS 7®; PT; |
Тип модуля: | IGBT |
Ток коллектора: | 29А |
Ток коллектора в импульсе: | 140А |
Электрический монтаж: | винтами |
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B.
Теги: Модули IGBT, MICROCHIP TECHNOLOGY, Модуль: IGBT, одиночный транзистор, Urmax: 1, 2кВ, Ic: 29А, SOT227B