|
|
A1P50S65M2Артикул: 431685 Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 50А. Производитель: STMicroelectronics |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | ACEPACK™1 |
| Производитель: | STMicroelectronics |
| Конструкция диода: | транзистор/транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор - эмиттер: | ±20В |
| Обратное напряжение макс.: | 650В |
| Потери мощности: | 208Вт |
| Применение: |
двигатели; инвертор; |
| Тип модуля: | IGBT |
| Ток коллектора: | 50А |
| Ток коллектора в импульсе: | 100А |
| Топология: |
полумост IGBT x3; термистор NTC; |
| Электрический монтаж: | Press-in PCB |
| PDF: |
|
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 50А.
Теги: Модули IGBT, STMicroelectronics, Модуль: IGBT, транзистор/транзистор, полумост IGBT x3, Ic: 50А