|
|
MKI100-12F8Артикул: 290547 Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 125А; Ifsm: 200А; MKI; винтами; 640Вт. Производитель: IXYS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: |
E3-Pack; MKI; |
| Производитель: | IXYS |
| Импульсный ток: | 200А |
| Конструкция диода: | диод/транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор - эмиттер: | ±20В |
| Напряжение коллектор-эмиттер: | 1,2кВ |
| Обратное напряжение макс.: |
1,2кВ; 1.2кВ; |
| Потери мощности: | 640Вт |
| Технология: |
HiPerFRED™; NPT; |
| Тип модуля: | IGBT |
| Ток коллектора: | 125А |
| Ток коллектора в импульсе: | 200А |
| Топология: | Н мост |
| Электрический монтаж: | Press-in PCB |
| PDF: |
|
Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 125А; Ifsm: 200А; MKI; винтами; 640Вт.
Теги: Модули IGBT, IXYS, Н мост, Urmax: 1, 2кВ, Ic: 125А, Ifsm: 200А, MKI, винтами, 640Вт