IXTT50P10 Артикул: 285273 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -50А; 300Вт; TO268; 180нс. Производитель: IXYS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 17 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 2 5 10 Без НДС: 561.01 грн. 489.77 грн. 463.06 грн. 445.25 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO268
Производитель:	IXYS
Вид упаковки:	туба
Время готовности:	180нс
Заряд затвора:	140нC
Монтаж:	SMD; THT;
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	-100В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	300Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	55мОм
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Ток стока:	-50А
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -50А; 300Вт; TO268; 180нс.

Теги: Транзисторы с каналом P THT, IXYS, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -100В, -50А, 300Вт, TO268, 180нс