|
|
IXTN170P10PАртикул: 216915 Single transistor; SOT227B; Ifsm: -680A; Id: -170A; 890W; Ugs: ±20V. Производитель: IXYS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SOT227B |
| Производитель: | IXYS |
| Pulsed drain current: | -510А |
| Вид упаковки: | россыпью |
| Время готовности: | 176нс |
| Заряд затвора: | 240нC |
| Импульсный ток: |
-510А; -680А; |
| Конструкция диода: |
single transistor; одиночный транзистор; |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Мощность: | 890Вт |
| Напряжение затвор-исток: |
±20В; ±30В; |
| Напряжение сток-исток: | -100В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 890Вт |
| Рабочая температура: | -55...150°C |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 14мОм |
| Технология: | PolarP™ |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип модуля: |
полевой МОП-транзистор; транзисторный; |
| Ток стока: | -170А |
| Электрический монтаж: | винтами |
| PDF: |
|
Single transistor; SOT227B; Ifsm: -680A; Id: -170A; 890W; Ugs: ±20V.
Теги: IXYS., Single transistor, SOT227B, Ifsm: -680A, Id: -170A, 890W, Ugs: ±20V.