IXTA2N100P Артикул: 300266 Транзистор: N-MOSFET; 1кВ; 2А; 86Вт; TO263; 800нс. Производитель: IXYS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 293 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 3 7 18 50 Без НДС: 173.01 грн. 152.02 грн. 137.39 грн. 129.76 грн. 127.85 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO263
Производитель:	IXYS
Вид упаковки:	туба
Время готовности:	800нс
Монтаж:	SMD
Напряжение сток-исток:	1кВ
Полярность:	полевой
Потери мощности:	86Вт
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	2А
Характеристики полупроводниковых элементов:	standard power mosfet
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; 1кВ; 2А; 86Вт; TO263; 800нс.

Теги: Транзисторы с каналом N SMD, IXYS, Транзистор: N-MOSFET, 1кВ, 2А, 86Вт, TO263, 800нс