IXFQ8N85X Артикул: 299941 Транзистор: N-MOSFET; 850В; 8А; 200Вт; TO3P; 125нс. Производитель: IXYS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 1 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 4 10 11 270 510 Без НДС: 391.18 грн. 241.07 грн. 240.43 грн. 227.71 грн. 225.17 грн. 218.81 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO3P
Производитель:	IXYS
Pulsed drain current:	16А
Вид упаковки:	туба
Время готовности:	125нс
Заряд затвора:	17нC
Монтаж:	THT
Напряжение затвор-исток:	±30В
Напряжение сток-исток:	850В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	200Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	0,85Ом; 850мОм;
Технология:	HiPerFET™; X-Class;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	8А
Характеристики полупроводниковых элементов:	ultra junction x-class
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; 850В; 8А; 200Вт; TO3P; 125нс.

Теги: Транзисторы с каналом N THT, IXYS, Транзистор: N-MOSFET, 850В, 8А, 200Вт, TO3P, 125нс