IXTY2N100P Артикул: 300582 Транзистор: N-MOSFET; 1кВ; 2А; 86Вт; TO252; 800нс. Производитель: IXYS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 1 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 7 10 20 25 70 Без НДС: 223.26 грн. 126.58 грн. 125.94 грн. 119.58 грн. 118.94 грн. 115.13 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO252
Производитель:	IXYS
Вид упаковки:	туба
Время готовности:	800нс
Монтаж:	SMD
Напряжение сток-исток:	1кВ
Полярность:	полевой
Потери мощности:	86Вт
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	2А
Характеристики полупроводниковых элементов:	standard power mosfet
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; 1кВ; 2А; 86Вт; TO252; 800нс.

Теги: Транзисторы с каналом N SMD, IXYS, Транзистор: N-MOSFET, 1кВ, 2А, 86Вт, TO252, 800нс