IXTY1R6N100D2 Артикул: 300580 Транзистор: N-MOSFET; 1кВ; 100Вт; TO252; 11нс. Производитель: IXYS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 372 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 6 17 70 Без НДС: 262.70 грн. 202.91 грн. 148.84 грн. 140.57 грн. 138.03 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO252
Производитель:	IXYS
Вид упаковки:	туба
Время готовности:	11нс
Заряд затвора:	645нC
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	1кВ
Полярность:	полевой
Потери мощности:	100Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	10Ом
Тип канала:	обедненный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	1,6А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; 1кВ; 100Вт; TO252; 11нс.

Теги: Транзисторы с каналом N SMD, IXYS, Транзистор: N-MOSFET, 1кВ, 100Вт, TO252, 11нс