IXTY1N120P Артикул: 300575 Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 1А; 63Вт; TO252; 900нс. Производитель: IXYS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 74 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 7 19 70 Без НДС: 153.29 грн. 137.39 грн. 128.49 грн. 121.49 грн. 117.04 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO252
Производитель:	IXYS
Вид упаковки:	туба
Время готовности:	900нс
Монтаж:	SMD
Напряжение сток-исток:	1,2кВ
Полярность:	полевой
Потери мощности:	63Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	20Ом
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	1А
Характеристики полупроводниковых элементов:	standard power mosfet
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 1А; 63Вт; TO252; 900нс.

Теги: Транзисторы с каналом N SMD, IXYS, Транзистор: N-MOSFET, 1, 2кВ, 1А, 63Вт, TO252, 900нс