IXTT8P50 Артикул: 286035 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -8А; 180Вт; TO268; 400нс. Производитель: IXYS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 27 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 2 3 6 30 Без НДС: 561.65 грн. 447.79 грн. 447.16 грн. 422.99 грн. 415.99 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO268
Производитель:	IXYS
Вид упаковки:	туба
Время готовности:	400нс
Заряд затвора:	130нC
Монтаж:	SMD; THT;
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	-500В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	180Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	1,2Ом; 1.2Ом;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Ток стока:	-8А
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -8А; 180Вт; TO268; 400нс.

Теги: Транзисторы с каналом P THT, IXYS, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -500В, -8А, 180Вт, TO268, 400нс