IXTT68P20T Артикул: 285274 Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -200В; -68А; 568Вт; TO268. Производитель: IXYS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 14 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 3 10 30 Без НДС: 969.37 грн. 916.58 грн. 915.30 грн. 881.59 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO268
Производитель:	IXYS
Вид упаковки:	туба
Время готовности:	245нс
Заряд затвора:	380нC
Монтаж:	SMD; THT;
Напряжение затвор-исток:	±15В
Напряжение сток-исток:	-200В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	568Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	55мОм
Технология:	TrenchP™
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Ток стока:	-68А
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -200В; -68А; 568Вт; TO268.

Теги: Транзисторы с каналом P THT, IXYS, Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -200В, -68А, 568Вт, TO268