IXTR210P10T Артикул: 284839 Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -195А; 390Вт; 200нс. Производитель: IXYS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 30 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 2 3 30 Без НДС: 1 823.61 грн. 1 724.38 грн. 1 723.75 грн. 1 658.23 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	ISOPLUS247™
Производитель:	IXYS
Вид упаковки:	туба
Время готовности:	200нс
Заряд затвора:	740нC
Монтаж:	THT
Напряжение затвор-исток:	±15В
Напряжение сток-исток:	-100В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	390Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	8мОм
Технология:	TrenchP™
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Ток стока:	-195А
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -195А; 390Вт; 200нс.

Теги: Транзисторы с каналом P THT, IXYS, Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -100В, -195А, 390Вт, 200нс