IXTQ60N20T Артикул: 300510 Транзистор: N-MOSFET; 200В; 60А; 500Вт; TO3P; 118нс. Производитель: IXYS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 232 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 13 510 Без НДС: 358.74 грн. 197.18 грн. 186.37 грн. 184.46 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO3P
Производитель:	IXYS
Вид упаковки:	туба
Время готовности:	118нс
Заряд затвора:	73нC
Монтаж:	THT
Напряжение сток-исток:	200В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	500Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	0,04Ом; 40мОм;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	60А
Характеристики полупроводниковых элементов:	thrench gate power mosfet
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; 200В; 60А; 500Вт; TO3P; 118нс.

Теги: Транзисторы с каналом N THT, IXYS, Транзистор: N-MOSFET, 200В, 60А, 500Вт, TO3P, 118нс