IXTQ200N10T Артикул: 300490 Транзистор: N-MOSFET; 100В; 200А; 550Вт; TO3P; 76нс. Производитель: IXYS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 6 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 3 8 Без НДС: 556.56 грн. 315.49 грн. 298.32 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO3P
Производитель:	IXYS
Вид упаковки:	туба
Время готовности:	76нс
Заряд затвора:	152нC
Монтаж:	THT
Напряжение сток-исток:	100В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	550Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	0,0055Ом; 5,5мОм;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	200А
Характеристики полупроводниковых элементов:	thrench gate power mosfet
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; 100В; 200А; 550Вт; TO3P; 76нс.

Теги: Транзисторы с каналом N THT, IXYS, Транзистор: N-MOSFET, 100В, 200А, 550Вт, TO3P, 76нс