(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • IXTQ200N10T

IXTQ200N10T

Артикул: 0300490


Транзистор: N-MOSFET; 100В; 200А; 550Вт; TO3P; 76нс.

Производитель: IXYS



PDF
Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
1


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 3 8
Без НДС: 602.64 грн. 323.15 грн. 305.56 грн.
Корпус: TO3P
Производитель: IXYS
Вид упаковки: туба
Время готовности: 76нс
Заряд затвора: 152нC
Монтаж: THT
Напряжение сток-исток: 100В
Полярность: полевой
Потери мощности: 550Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 5,5мОм
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: N-MOSFET
Ток стока: 200А
Характеристики полупроводниковых элементов: thrench gate power mosfet
PDF:
PDF
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 200А; 550Вт; TO3P; 76нс.

Теги: Радиаторы - оснащение, FISCHER ELEKTRONIK, Прижимная пластина, TO218, TO220, TO247, TO248, TO3P