|
|
IXTQ130N20TАртикул: 463284 Транзистор: N-MOSFET; Trench™; полевой; 200В; 75А; Idm: 320А; 830Вт. Производитель: IXYS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 30 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||
|
|
||||||||||||
| Корпус: | TO3P |
| Производитель: | IXYS |
| Pulsed drain current: | 320А |
| Вид упаковки: | туба |
| Время готовности: | 150нс |
| Заряд затвора: | 150нC |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 200В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 830Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 16мОм |
| Технология: | Trench™ |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 75А |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | thrench gate power mosfet |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; Trench™; полевой; 200В; 75А; Idm: 320А; 830Вт.
Теги: Транзисторы с каналом N THT, IXYS, Транзистор: N-MOSFET, Trench™, полевой, 200В, 75А, Idm: 320А, 830Вт