(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • IXTP76P10T

IXTP76P10T

Артикул: 284827


Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -76А; 298Вт; 70нс.

Производитель: IXYS



PDF
Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
301


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 4 10 50
Без НДС: 397.54 грн. 260.79 грн. 246.79 грн. 237.25 грн.
Корпус: TO220AB
Производитель: IXYS
Вид упаковки: туба
Время готовности: 70нс
Заряд затвора: 197нC
Монтаж: THT
Напряжение затвор-исток: ±15В
Напряжение сток-исток: -100В
Полярность: полевой
Потери мощности: 298Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 25мОм
Технология: TrenchP™
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: P-MOSFET
Ток стока: -76А
PDF:
PDF
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -76А; 298Вт; 70нс.

Теги: Транзисторы с каналом P THT, IXYS, Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -100В, -76А, 298Вт, 70нс