IXTP3N120 Артикул: 287683 Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns. Производитель: IXYS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 288 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 3 7 100 Без НДС: 480.23 грн. 381.64 грн. 360.65 грн. 346.66 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO220AB
Производитель:	IXYS
Вид упаковки:	туба
Время готовности:	700нс
Заряд затвора:	42нC
Монтаж:	THT
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	1,2кВ; 1.2кВ;
Полярность:	полевой
Потери мощности:	200Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	4,5Ом; 4.5Ом;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	3А
PDF:

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns.

Теги: THT N Channel Transistors, IXYS, Transistor: N-MOSFET, unipolar, 1.2kV, 3A, 200W, TO220AB, 700ns