|
|
IXTP2R4N120PАртикул: 287681 Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; 125W; TO220AB. Производитель: IXYS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 307 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||
|
|
||||||||||||||
| Корпус: | TO220AB |
| Производитель: | IXYS |
| Pulsed drain current: | 6А |
| Вид упаковки: | туба |
| Время готовности: | 920нс |
| Заряд затвора: | 37нC |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: |
1,2кВ; 1.2кВ; |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 125Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
7,5Ом; 7.5Ом; |
| Технология: | Polar™ |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: |
2,4А; 2.4А; |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | standard power mosfet |
| PDF: |
|
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; 125W; TO220AB.
Теги: THT N Channel Transistors, IXYS, Transistor: N-MOSFET, Polar™, unipolar, 1.2kV, 2.4A, 125W, TO220AB