|
|
IXTN550N055T2Артикул: 283475 Модуль; одиночный транзистор; Uds:55В; Id:550А; SOT227B; Ugs: ±20В. Производитель: IXYS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SOT227B |
| Производитель: | IXYS |
| Pulsed drain current: | 1,65кА |
| Вид упаковки: | россыпью |
| Время готовности: | 100нс |
| Заряд затвора: | 595нC |
| Импульсный ток: |
1,65кА; 1.65кА; |
| Конструкция диода: | одиночный транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор-исток: |
±20В; ±30В; |
| Напряжение сток-исток: | 55В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 940Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
1,3мОм; 1.3мОм; |
| Технология: |
GigaMOS™; TrenchT2™; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип модуля: |
полевой МОП-транзистор; транзисторный; |
| Ток стока: | 550А |
| Электрический монтаж: | винтами |
| PDF: |
|
Модуль; одиночный транзистор; Uds:55В; Id:550А; SOT227B; Ugs: ±20В.
Теги: Транзисторные модули MOSFET, IXYS, Модуль, одиночный транзистор, Uds:55В, Id:550А, SOT227B, Ugs: ±20В