|
|
IXTN210P10TАртикул: 216916 Single transistor; SOT227B; Ifsm: -840A; Id: -210A; 830W; Ugs: ±15V. Производитель: IXYS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SOT227B |
| Производитель: | IXYS |
| Pulsed drain current: | -800А |
| Вид упаковки: | россыпью |
| Время готовности: | 200нс |
| Заряд затвора: | 740нC |
| Импульсный ток: |
-800А; -840А; |
| Конструкция диода: |
single transistor; одиночный транзистор; |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Мощность: | 830Вт |
| Напряжение затвор-исток: | ±15В |
| Напряжение сток-исток: | -100В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 830Вт |
| Рабочая температура: | -55...150°C |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
7,5мОм; 7.5мОм; |
| Технология: | TrenchP™ |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип модуля: |
полевой МОП-транзистор; транзисторный; |
| Ток стока: | -210А |
| Электрический монтаж: | винтами |
| PDF: |
|
Single transistor; SOT227B; Ifsm: -840A; Id: -210A; 830W; Ugs: ±15V.
Теги: IXYS., Single transistor, SOT227B, Ifsm: -840A, Id: -210A, 830W, Ugs: ±15V.