IXTH68P20T Артикул: 284458 Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -200В; -68А; 568Вт; 245нс. Производитель: IXYS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 32 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 2 3 30 510 Без НДС: 942.65 грн. 812.90 грн. 768.37 грн. 747.38 грн. 739.11 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO247-3
Производитель:	IXYS
Вид упаковки:	туба
Время готовности:	245нс
Заряд затвора:	380нC
Монтаж:	THT
Напряжение затвор-исток:	±15В
Напряжение сток-исток:	-200В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	568Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	55мОм
Технология:	TrenchP™
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Ток стока:	-68А
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -200В; -68А; 568Вт; 245нс.

Теги: Транзисторы с каналом P THT, IXYS, Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -200В, -68А, 568Вт, 245нс