IXTA76P10T Артикул: 283474 Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -76А; 298Вт; TO263. Производитель: IXYS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 137 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 3 4 5 10 50 100 Без НДС: 462.11 грн. 411.82 грн. 269.24 грн. 268.61 грн. 253.97 грн. 249.51 грн. 246.97 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO263
Производитель:	IXYS
Вид упаковки:	туба
Время готовности:	70нс
Заряд затвора:	197нC
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±15В
Напряжение сток-исток:	-100В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	298Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	25мОм
Технология:	TrenchP™
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Ток стока:	-76А
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -76А; 298Вт; TO263.

Теги: Транзисторы с каналом P SMD, IXYS, Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -100В, -76А, 298Вт, TO263