IXTA32P05T Артикул: 282566 Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -50В; -32А; 83Вт; TO263. Производитель: IXYS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 312 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 9 23 500 Без НДС: 223.26 грн. 109.40 грн. 103.68 грн. 99.23 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO263
Производитель:	IXYS
Вид упаковки:	туба
Время готовности:	26нс
Заряд затвора:	46нC
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±15В
Напряжение сток-исток:	-50В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	83Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	39мОм
Технология:	TrenchP™
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Ток стока:	-32А
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -50В; -32А; 83Вт; TO263.

Теги: Транзисторы с каналом P SMD, IXYS, Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -50В, -32А, 83Вт, TO263