IXTA120P065T Артикул: 282558 Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -65В; -120А; 298Вт; TO263. Производитель: IXYS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 277 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 4 10 50 100 Без НДС: 385.46 грн. 268.42 грн. 253.79 грн. 250.61 грн. 244.25 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO263
Производитель:	IXYS
Вид упаковки:	туба
Время готовности:	53нс
Заряд затвора:	185нC
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±15В
Напряжение сток-исток:	-65В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	298Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	10мОм
Технология:	TrenchP™
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Ток стока:	-120А
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -65В; -120А; 298Вт; TO263.

Теги: Транзисторы с каналом P SMD, IXYS, Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -65В, -120А, 298Вт, TO263