|
|
IXGN200N60B3Артикул: 095208 Модуль: IGBT; 200А; 830Вт; SOT227B; 600В; Ifsm:1,2кА; винтами Производитель: IXYS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 34 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||
|
|
||||||||||||
| Корпус: | SOT227B |
| Производитель: | IXYS |
| Импульсный ток: | 1.2кА |
| Конструкция диода: |
single transistor; одиночный транзистор; |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Мощность: | 830Вт |
| Напряжение затвор - эмиттер: |
20В; ±20В; |
| Напряжение коллектор-эмиттер: | 600В |
| Обратное напряжение макс.: | 600В |
| Потери мощности: | 830Вт |
| Рабочая температура: | -55...150°C |
| Технология: |
GenX3™; PT; |
| Тип модуля: | IGBT |
| Ток коллектора: | 200А |
| Ток коллектора в импульсе: | 1,2кА |
| Топология: |
single transistor; одиночный транзистор; |
| Электрический монтаж: | винтами |
| PDF: |
|
Модуль: IGBT; 200А; 830Вт; SOT227B; 600В; Ifsm:1,2кА; винтами
Теги: IXYS, Модуль: IGBT, 200А, 830Вт, SOT227B, 600В, Ifsm:1, 2кА, винтами