IXGN200N60B3 Артикул: 095208 Модуль: IGBT; 200А; 830Вт; SOT227B; 600В; Ifsm:1,2кА; винтами Производитель: IXYS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 28 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 Без НДС: 3 180.92 грн. 3 094.56 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT227B
Производитель:	IXYS
Конструкция диода:	одиночный транзистор
Механический монтаж:	винтами
Напряжение затвор - эмиттер:	±20В
Обратное напряжение макс.:	0,6кВ
Потери мощности:	830Вт
Технология:	GenX3™; PT;
Тип полупроводникового модуля:	IGBT
Ток коллектора:	200А
Ток коллектора в импульсе:	1,2кА
Электрический монтаж:	винтами
PDF:

Модуль: IGBT; 200А; 830Вт; SOT227B; 600В; Ifsm:1,2кА; винтами

Теги: IXYS, Модуль: IGBT, 200А, 830Вт, SOT227B, 600В, Ifsm:1, 2кА, винтами