IXFY4N85X Артикул: 300069 Транзистор: N-MOSFET; 850В; 150Вт; TO252; 170нс. Производитель: IXYS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 6 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 6 17 140 560 Без НДС: 286.23 грн. 150.11 грн. 141.84 грн. 137.39 грн. 136.75 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO252
Производитель:	IXYS
Pulsed drain current:	10А
Вид упаковки:	туба
Время готовности:	170нс
Заряд затвора:	7нC
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±30В
Напряжение сток-исток:	850В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	150Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	2,5Ом
Технология:	HiPerFET™; X-Class;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	3,5А
Характеристики полупроводниковых элементов:	ultra junction x-class
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; 850В; 150Вт; TO252; 170нс.

Теги: Транзисторы с каналом N SMD, IXYS, Транзистор: N-MOSFET, 850В, 150Вт, TO252, 170нс