IXFT50N60X Артикул: 300006 Транзистор: N-MOSFET; 600В; 50А; 660Вт; TO268; 195нс. Производитель: IXYS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 14 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 2 4 10 Без НДС: 856.15 грн. 612.53 грн. 579.46 грн. 578.82 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO268
Производитель:	IXYS
Вид упаковки:	туба
Время готовности:	195нс
Заряд затвора:	116нC
Монтаж:	SMD
Напряжение сток-исток:	600В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	660Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	0,073Ом; 73мОм;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	50А
Характеристики полупроводниковых элементов:	ultra junction x-class
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; 600В; 50А; 660Вт; TO268; 195нс.

Теги: Транзисторы с каналом N SMD, IXYS, Транзистор: N-MOSFET, 600В, 50А, 660Вт, TO268, 195нс