|
|
IXFN66N85XАртикул: 0299880 Модуль; одиночный транзистор; 850В; 65А; SOT227B; Ugs: ±40В; 830Вт. Производитель: IXYS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 1 Срок поставки 20-30 дней |
||||
|
|
||||||||
| Корпус: | SOT227B |
| Производитель: | IXYS |
| Pulsed drain current: | 140А |
| Время готовности: | 250нс |
| Заряд затвора: | 230нC |
| Конструкция диода: | одиночный транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор-исток: | ±40В |
| Напряжение сток-исток: | 850В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 830Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 65мОм |
| Технология: |
HiPerFET™; X-Class; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип полупроводникового модуля: | MOSFET транзистор |
| Ток стока: | 65А |
| Электрический монтаж: | винтами |
| PDF: |
|
Модуль; одиночный транзистор; 850В; 65А; SOT227B; Ugs: ±40В; 830Вт.
|
VXV-55-101E Радиатор: штампованный; ребристый; SOT227; натуральный; L: 55мм. Производитель: OHMITE |
|
Кратность заказа позиции: 1120 Минимальный заказ позиции: 1120 |
Кол-во: 0 |
||||||||
|
|
||||||||||||
|
|
TGH-TP1 Плоский; SOT227; черный; L: 20мм; W: 37,5мм; H: 0,2мм. Производитель: OHMITE |
|
Кратность заказа позиции: 25 Минимальный заказ позиции: 25 |
Кол-во: 0 |
||||||||
|
|
||||||||||||
Теги: Радиаторы, OHMITE, Плоский, SOT227, черный, L: 20мм, W: 37, 5мм, H: 0, 2мм