|
|
IXFN60N80PАртикул: 282145 Модуль; одиночный транзистор; Uds:800В; Id:53А; SOT227B; Ugs: ±30В. Производитель: IXYS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 187 Срок поставки 20-30 дней |
||||||
|
|
||||||||||
| Корпус: | SOT227B |
| Производитель: | IXYS |
| Pulsed drain current: | 150А |
| Время готовности: | 250нс |
| Заряд затвора: | 250нC |
| Конструкция диода: | одиночный транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 800В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 1,04кВт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 0,14Ом |
| Технология: |
HiPerFET™; Polar™; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип полупроводникового модуля: | MOSFET транзистор |
| Ток стока: | 53А |
| Электрический монтаж: | винтами |
| PDF: |
|
Модуль; одиночный транзистор; Uds:800В; Id:53А; SOT227B; Ugs: ±30В.
Теги: Транзисторные модули MOSFET, IXYS, Модуль, одиночный транзистор, Uds:800В, Id:53А, SOT227B, Ugs: ±30В