IXFN44N80P Артикул: 0282143 Модуль; одиночный транзистор; Uds:800В; Id:39А; SOT227B; Ugs: ±30В. Производитель: IXYS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 7 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 2 10 Без НДС: 1 999.47 грн. 1 890.66 грн. 1 860.70 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание
• Смежные товары [ 2 ]

Корпус:	SOT227B
Производитель:	IXYS
Pulsed drain current:	100А
Время готовности:	250нс
Заряд затвора:	200нC
Конструкция диода:	одиночный транзистор
Механический монтаж:	винтами
Напряжение затвор-исток:	±30В
Напряжение сток-исток:	800В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	694Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	0,19Ом
Технология:	HiPerFET™; Polar™;
Тип канала:	обогащенный
Тип полупроводникового модуля:	MOSFET транзистор
Ток стока:	39А
Электрический монтаж:	винтами
PDF:

Модуль; одиночный транзистор; Uds:800В; Id:39А; SOT227B; Ugs: ±30В.

	VXV-55-101E Радиатор: штампованный; ребристый; SOT227; натуральный; L: 55мм. Производитель: OHMITE		Кратность заказа позиции: 1120 Минимальный заказ позиции: 1120	Кол-во: 0
Кількість від: 1120 Ціна без ПДВ: 182.42 грн.				В корзину
	TGH-TP1 Плоский; SOT227; черный; L: 20мм; W: 37,5мм; H: 0,2мм. Производитель: OHMITE		Кратность заказа позиции: 25 Минимальный заказ позиции: 25	Кол-во: 0
Кількість від: 25 50 100 Ціна без ПДВ: 267.12 грн. 262.56 грн. 256.69 грн.				В корзину

Теги: Радиаторы, OHMITE, Плоский, SOT227, черный, L: 20мм, W: 37, 5мм, H: 0, 2мм