IXFN420N10T Артикул: 260442 Модуль; одиночный транзистор; Uds:100В; Id:420А; SOT227B; 1,07кВт. Производитель: IXYS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 28 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 2 5 10 100 Без НДС: 1 715.45 грн. 1 621.95 грн. 1 621.30 грн. 1 605.07 грн. 1 581.69 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT227B
Производитель:	IXYS
Pulsed drain current:	1кА
Время готовности:	140нс
Заряд затвора:	670нC
Конструкция диода:	одиночный транзистор
Механический монтаж:	винтами
Напряжение затвор-исток:	±30В
Напряжение сток-исток:	100В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	1,07кВт
Сопротивление в открытом состоянии:	2,3мОм
Технология:	GigaMOS™; HiPerFET™;
Тип канала:	обогащенный
Тип полупроводникового модуля:	MOSFET транзистор
Ток стока:	420А
Электрический монтаж:	винтами
PDF:

Модуль; одиночный транзистор; Uds:100В; Id:420А; SOT227B; 1,07кВт.

Теги: IXYS., Модуль, одиночный транзистор, Uds:100В, Id:420А, SOT227B, 1, 07кВт.