|
|
IXFN360N10TАртикул: 0282142 Модуль; одиночный транзистор; Uds:100В; Id:360А; SOT227B; винтами. Производитель: IXYS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 76 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||
|
|
||||||||||||
| Корпус: | SOT227B |
| Производитель: | IXYS |
| Pulsed drain current: | 900А |
| Время готовности: | 130нс |
| Заряд затвора: | 525нC |
| Конструкция диода: | одиночный транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 100В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 830Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 2,6мОм |
| Технология: |
GigaMOS™; HiPerFET™; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип полупроводникового модуля: | MOSFET транзистор |
| Ток стока: | 360А |
| Электрический монтаж: | винтами |
| PDF: |
|
Модуль; одиночный транзистор; Uds:100В; Id:360А; SOT227B; винтами.
Теги: Транзисторные модули MOSFET, IXYS, Модуль, одиночный транзистор, Uds:100В, Id:360А, SOT227B, винтами