|
|
IXFN180N25TАртикул: 282139 Модуль; одиночный транзистор; Uds:250В; Id:168А; SOT227B; винтами. Производитель: IXYS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 272 Срок поставки 20-30 дней |
||||||
|
|
||||||||||
| Корпус: | SOT227B |
| Производитель: | IXYS |
| Pulsed drain current: | 500А |
| Время готовности: | 200нс |
| Заряд затвора: | 364нC |
| Конструкция диода: | одиночный транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 250В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 900Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 12,9мОм |
| Технология: | GigaMOS™ |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип полупроводникового модуля: | MOSFET транзистор |
| Ток стока: | 168А |
| Электрический монтаж: | винтами |
| PDF: |
|
Модуль; одиночный транзистор; Uds:250В; Id:168А; SOT227B; винтами.
Теги: Транзисторные модули MOSFET, IXYS, Модуль, одиночный транзистор, Uds:250В, Id:168А, SOT227B, винтами