|
|
IXFJ20N85XАртикул: 298328 Транзистор: N-MOSFET; 850В; 110Вт; ISOTO247™; 190нс. Производитель: IXYS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 5 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||
|
|
||||||||||||
| Корпус: |
ISO247™; ISOTO247™; |
| Производитель: | IXYS |
| Pulsed drain current: | 50А |
| Вид упаковки: | туба |
| Время готовности: | 190нс |
| Заряд затвора: | 63нC |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 850В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 110Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
0,36Ом; 360мОм; |
| Технология: |
HiPerFET™; X-Class; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 9,5А |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | ultra junction x-class |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; 850В; 110Вт; ISOTO247™; 190нс.
Теги: Транзисторы с каналом N THT, IXYS, Транзистор: N-MOSFET, 850В, 110Вт, ISOTO247™, 190нс