IXFH320N10T2 Артикул: 298010 Транзистор: N-MOSFET; 100В; 320А; 1000Вт; TO247-3; 98нс. Производитель: IXYS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 300 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 2 3 10 30 Без НДС: 1 114.20 грн. 855.13 грн. 808.38 грн. 804.48 грн. 788.90 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO247-3
Производитель:	IXYS
Вид упаковки:	туба
Время готовности:	98нс
Заряд затвора:	430нC
Монтаж:	THT
Напряжение сток-исток:	100В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	1000Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	0,0035Ом; 3,5мОм;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	320А
Характеристики полупроводниковых элементов:	thrench gate power mosfet
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; 100В; 320А; 1000Вт; TO247-3; 98нс.

Теги: Транзисторы с каналом N THT, IXYS, Транзистор: N-MOSFET, 100В, 320А, 1000Вт, TO247-3, 98нс